三安光电:签署《项目投资建设合同》

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三安光电:签署《项目投资建设合同》

时间：2020年06月16日 20:37:06 中财网

原标题:三安光电:关于签署《项目投资建设合同》的公告

证券代码：600703 股票简称：三安光电 编号：临2020-056



三安光电股份有限公司

关于签署《项目投资建设合同》的公告



本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大
遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担个别及连带责任。


风险提示：

●投资标的名称：公司拟在长沙成立子公司投资建设第三代半导体产业园项
目（子公司名称最终将以有权机关核准为准）

●投资金额：公司以现金160亿元投资该项目。项目周期较长，每期投资金
额尚未明确，待明确后履行信息披露义务。


●特别风险提示：该事项已经公司第九届董事会第三十一次会议审议通过，
尚需公司股东大会审议批准，公司将根据有关规定及时履行信息披露义务。该项
目能否获得当地环保部门审批通过、依法招拍挂取得项目用地及按照合同约定的
内容按期执行尚存在不确定性，合同的履行存在受不可抗力影响造成的风险。敬
请广大投资者注意投资风险。




一、对外投资概述

（一）对外投资的基本情况

根据公司发展战略，经公司董事会研究，公司决定在长沙高新技术产业开发
区管理委员会园区成立子公司投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半
导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产
业链，投资总额160亿元，公司在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内完
成一期项目建设并实现投产，48个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实
现投产，72个月内实现达产。公司与长沙高新技术产业开发区管理委员会于2020
年6月15日签署《项目投资建设合同》。


（二）投资行为生效所必需的审批程序

该事项已经公司第九届董事会第三十一次会议审议通过，尚需公司股东大会
审议批准。



（三）该事项不构成关联交易，也不构成《上市公司重大资产重组管理办法》规
定的重大资产重组。


二、合同主体的基本情况

甲方：长沙高新技术产业开发区管理委员会

长沙高新技术产业开发区创建于1988年，1991年获批全国首批国家级高新
区。长沙高新区位于湘江以西、岳麓山下，总面积达到140平方公里，是长株潭
国家“两型社会”建设综合配套改革试验区、长株潭国家自主创新示范区和国家
级湖南湘江新区“三区”叠加的核心区。长沙高新区依托强大的科技资源和产业
创新优势，先后获批国家创新型科技园区、国家海外高层次人才创新创业基地、
国家创新人才培养示范基地、国家科技与金融结合试点园区、国家生态工业示范
园区、国家高技术产业化基地、新材料产业基地、软件产业基地等20多个国家
级产业基地。目前，在全国169个国家高新区综合排名中，名列第11位。在工
信部赛迪研究院发布的“中国产业园区竞争力100强”排行榜中，位居第10位。


乙方：三安光电股份有限公司

三、投资标的基本情况

根据公司发展战略，经公司董事会研究，公司决定在长沙高新技术产业开发
区管理委员会园区成立子公司投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半
导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产
业链，投资总额160亿元，公司在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内完
成一期项目建设并实现投产，48个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实
现投产，72个月内实现达产。公司与长沙高新技术产业开发区管理委员会于2020
年6月15日签署《项目投资建设合同》。公司设立子公司的名称、经营范围等相
关信息最终以有权机关核准为准，公司将在取得设立的子公司营业执照后，履行
信息披露义务。


四、合同的主要内容

（一）投资项目的基本情况

为落实第三代半导体产业园项目（以下简称“项目”）的具体实施，根据《民
法总则》、《合同法》、《物权法》等有关法律法规规定，双方本着平等自愿、诚实
信用、协商一致的原则，订立本合同。


1、项目具体开发建设内容：投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代


半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装
产业链，在甲方园区研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC
二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化
硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET，以甲方认可的乙方项目实施主体
最终可研报告为准。


2、项目的实施主体：乙方将在甲方辖区成立控股子公司作为项目实施主体，
负责项目的投资、建设及运营。


3、项目用地：项目拟用地位于长沙高新技术产业开发区，用地面积约1,000
亩，